Samsung ha conseguido recientemente llegar a memorias RAM en 30 nanómetros, suponiendo una cierta ventaja respecto de anteriores modelos de RAM que estaban fabricadas en 40, 50, 60 y incluso hasta 80 nanómetros. Ésto tendrá las clásicas repercusiones que avanzábamos anteriormente, como el menor consumo energético – y por tanto una mayor autonomía en equipos portátiles – y también menos calor y algo más de rendimiento. También se mejorarán las capacidades de la memoria RAM, con lo que no sería descabellado empezar a ver módulos de 8 y 16 GB dentro de poco tiempo. ¿Poco? Bueno, tampoco seamos tan optimistas: a lo largo de los próximos años. Por ahora han confirmado que pondrán a la venta un módulo de 4 GB DDR3 en 30 nanómetros y destinado a ordenadores portátiles. Por ahora no hay detalles sobre módulos para sobremesas.
También hay que remarcar que la RAM DDR4, la nueva generación, lleva ya varios años de investigación y se espera que las especificaciones técnicas estén completas a finales de 2011, con lo que posiblemente llegue al mercado a finales de 2012 o ya en 2013. De hecho es la propia Samsung una de las principales empresas investigadoras en la futura nueva generación de memoria de acceso aleatorio.
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